作业帮如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的感应强度为B,正方形线框abcd的边长为L(L < d)、质量为m、电阻为R.现将线框在磁场上方h高处由静止开始释放,当ab
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/10 10:25:23
如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的感应强度为B,正方形线框abcd的边长为L(L < d)、质量为m、电阻为R.现将线框在磁场上方h高处由静止开始释放,当ab
如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的感应强度为B,正方形线框abcd的边长为L(L < d)、质量为m、电阻为R.现将线框在磁场上方h高处由静止开始释放,当ab边刚进入磁场到cd边刚穿出磁场的整个过程中,下列说法错误的是（ ）
如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的感应强度为B,正方形线框abcd的边长为L(L < d)、质量为m、电阻为R.现将线框在磁场上方h高处由静止开始释放,当ab
BCD不正确
每个时间点瞬时安培力是
BL(BLv/R)
进入磁场时安培力*单位时间的 累积（冲量),这里只有v关於时间变化,进入线圈是v关於时间的累积是BL(BLL/R) （所有瞬时v加起来是L,进入线圈过程中或开始出线圈过程中才有安培阻力）
=B^2L^3/R
出磁场时安培力的冲量也是一样
安培力总冲量2B^2L^3/R
A正确
E=(BLv)
Fa=BIL=B(BLv/R)L
随著速度增加,安培阻力增加
若安培阻力等於重力时,速度开始不变
mg=Fa
mg=B^2L^2v/R
v=mgR/(B^2L^2)
若时间来得及允许安培力撑到匹敌重力,那麼
v在进入过程时的 最大值 可能是mgR/(B^2L^2)
（或者dL）
且B说的是最小速度不是最大速度
B不正确
总而言之,进入磁场后速度只能增或不变,
最小速度是刚进入时候=根号(2gh)
C不正确
D应该问的是电功,这个和下落靠引力增加的动能mgd应该无关的,D不对
以下无关此题纯属娱乐
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举个例子,进入磁场过程中,可以安培力和重力可达到平衡的情况下,电流做功的算法
I=BLv/R
E=BLv
∫ (BLv)^2/R dt
dv/dt=mg-BIL
dt=dv/(mg-BIL)
∫(BLv)^2/{R(mg-BIL)} dv
=[(BL)^2/{R(mg-BIL)} ] v^3/3 (根号(2gh)~mgR/(B^2L^2))
=[(BL)^2/{3R(mg-BIL)}]((mgR)^3/(B^6L^6)-(2gh)^1.5)
BD
望采纳 谢谢