模电 书中说 在掺杂浓度不对称的PN结中 耗尽区在重掺杂一边延伸较小 而在轻掺杂一边延伸较大 这是为什么啊 自学模电不易

模电 书中说 在掺杂浓度不对称的PN结中 耗尽区在重掺杂一边延伸较小 而在轻掺杂一边延伸较大 这是为什么啊 自学模电不易 PN结的掺杂浓度是什么? 不同掺杂浓度的PN结的电位差是否相同 模电二极管PN结问题PN结掺杂程度越高,其耗尽层越窄,为什么? 为什么掺杂浓度越高,PN结越窄?P,N都是高掺杂的情况下,为什么PN结却越窄了 PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄 在PN结中单边突变结的空间电荷区主要向-----扩展的,而且--------,伸展的越远,势垒区愈宽,也最大电场强度也愈小.向掺杂浓度低的一侧延伸吗?浓度差越大伸展越远吗?清xmx028兄弟解答一下 为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低? 关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题扩散是由于浓度差引起的,应该是浓度越大,扩散能量越强,那么耗尽层也应该越宽啊.实际却是掺杂浓度越大,耗尽层越窄.为什么呢?既然掺杂浓度越大, ．在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于（ ）,而少子的浓度则受（ ）的影响很大．温度 B．晶体缺陷 C．掺杂工艺 D．掺杂浓度 关于半导体掺杂.q(ND + p - NA - n) = 0怎么看出电中性的?ND 磷的浓度 NA硼的浓度 P空穴 N 电子还有为什么会有pn = ni2? 掺杂的砷化镓半导体中电子的迁移率在杂质浓度很小和很大是如何随温度变化 1.PN结多数载流子浓度主要受（ ）影响,少数载流子浓度则主要受（ ）影响A.温度 B.掺杂工艺 C.掺杂浓度 D.晶体缺陷2.为了避免电源与负载之间的相互影响,通常采用的放大器接法类型为（ ）A.C PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄请给出详细的,概念比较清楚的答案 为什么PN节掺杂浓度越大热平衡载流子浓度就越小? 半导体晶体管PN结掺杂疑惑为什么在制作PN结时往纯净半导体里加入的是四价或五价元素,而不是六价七价或更多价的元素呢? 掺杂半导体中少数载流子的浓度与什么有很大关系 掺杂半导体中少数载流子的浓度与什么有很大关系